افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده های کم نویز در تکنولوژی 0.13 میکرومتر cmos
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده برق و کامپیوتر
- author روح الله بامری
- adviser احمد حکیمی
- publication year 1393
abstract
در مدارات فرکانس رادیویی، تقویت کننده کم نویز اولین بلوک فعال تقویت کننده در مسیر سیگنال دریافتی می باشد. در حقیقت عملکرد گیرنده فرکانس رادیویی بسیار تحت تاثیر تقویت کننده کم نویز می باشد. وجود تقویت کننده کم نویز به عنوان اولین بلوک در مسیر گیرنده نقش اساسی در تقویت سیگنال دریافتی با افزودن کمترین مقدار نویز را دارا می باشد. علاوه بر این ورودی تقویت کننده کم نویز باید با خروجی فیلتر بعد از آنتن تطبیق داشته باشد تا کمترین انعکاس سیگنال بین تقویت کننده کم نویز و آنتن مشاهده شود. اگر چه طراحی تقویت کننده کم نویز در مقایسه با دیگر مولفه های یک شبکه فرکانس رادیویی ساده است، اما طراحی مصالحه آمیز برای مهندسان چالش برانگیز است. در طراحی یک تقویت کننده کم نویز باید بهترین مصالحه بین پارامترهای مدار صورت گیرد. پارامترهایی از جمله نویز، بهره، خطی بودن و توان مصرفی. تقویت کننده های کم نویز فراپهن باند نوعی از تقویت کننده های کم نویز می باشند. سیستم های فراپهن باند یک تکنولوژی بی¬سیم جدید هستند که توانایی انتقال اطلاعات را در سراسر یک باند فرکانسی وسیع با کمترین مصرف توان، بیشترین نرخ اطلاعات، بالاترین امنیت و کمترین هزینه را دارا می باشند. اگرچه استاندارد فراپهن باند به طور کامل توصیف نشده است ولی اغلب کاربردهای بین فرکانس 1/3 گیگاهرتز تا 6/10 گیگاهرتز را به سیستم فراپهن باند نسبت می دهند. طراحی تقویت کننده کم نویز فراپهن باند یک چالش در مدارات مجتمع فرکانس رادیویی است، که نیازمند ایجاد و بهبود بهره توان صاف و بالا، تطبیق امپدانس مناسب ورودی و خروجی، عدد نویز پایین، توان مصرفی پایین و سطح تراشه مصرفی کم می باشد. با توجه به اهمیت تقویت کننده کم نویز، در این پایان نامه طراحی های جدیدی برای تقویت کننده های کم نویز صورت گرفته است، که تمرکز اصلی آن ها بر روی افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی در فرکانس های رادیویی می باشد. ابتدا سیتم های فراپهن باند و باند باریک و تفاوت آن ها و چالش های طراحی این مدارات مورد بررسی قرار گرفته است. سپس روش های طراحی تقویت کننده های کم نویز فراپهن باند معرفی و در نهایت تقویت کننده های کم نویز ارائه شده تحلیل شده است. مدارات ارائه شده در تکنولوژی 13/0 میکرومتر cmos شرکت tsmc طراحی و توسط نرم افزار ads شبیه سازی شده اند. اولین تقویت کننده پیشنهادی در این پایان نامه، یک تقویت کننده دو طبقه در باند فرکانسی 1 تا 12 گیگاهرتز می باشد که به خوبی باند فرکانسی فراپهن را پوشش می دهد. در طبقه اول این تقویت کننده، به منظور رسیدن به گین بالا و توان مصرفی از روش استفادده مجدد جریان استفاده شده است. در طبقه دوم، از تقویت کننده سورس مشترک با سلف های افزاینده برای رسیدن بهره و پهنای باند مناسب شده است. برای بهبود خاصیت خطی نیز از فیدبک مقاومتی استفاده شده است. تقویت کننده کم نویز ارائه شده دوم طوری طراحی شده است که کمترین میزان سلف را داشته باشد، تا صرفه اقتصادی تراشه بالا رود. در آخرین طراحی نیز بر روی افزایش بهره مدار با حفظ بهترین عملکرد نویزی تمرکز شده است.
similar resources
تقویت کننده کم نویز 10.6-3.1 گیگاهرتز با فیدبک مقاومتی در تکنولوژی 0.18µm cmos
مطالب گفته شده در این پایان نامه بر مبنای طراحی، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده کم نویز cmos فراپهن باند است. چالش¬های جدی در پیاده سازی اجزای گیرنده فراپهن باند وجود دارد که یکی از مهم¬ترین آنها طراحی بلوک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند استکه بلوکی کلیدی در بسیاری از گیرنده های رادیویی با کارایی بالاست زیرا عملکرد این قسمت به شدت حساسیت و گزینندگی سیستم را تحت تأثیر قرار می دهد و معمولاً اولین...
15 صفحه اولتقویت کننده لگاریتمی کم مصرف و کم نویز برای کاربرد ضبط سیگنال های زیست-پتانسیل
چکیده: در این مقاله یک تقویتکننده لگاریتمی کممصرف با نویز پایین، برای استفاده در بخش جلویی میکروسیستمهای ضبط سیگنالهای زیست-پتانسیل، ارائه شده است. بهمنظور جلوگیری از افزایش دمای بافت و تخریب آن در حـوالی الـمان کاشتـهشده، عملکرد کممصرف در سیستمهای ثبت سیگنال عصبی، بسیار حیاتی و مهم است. مشخصه لگاریتمی با استفاده از تقریبهای تکهای-خطی محقق شده و از ساختار جمع موازی برای پیادهسازی تقو...
full textطراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
full textیک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل
تقویتکننده کمنویز یکی از مهمترین بلوکهای به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب میشود. در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز پهنباند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویتکننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...
full textطراحی یک تقویت کننده فراپهن باند کم نویز با تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی در تکنولوژی 0.18 µm cmos
تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کم نویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آن ها است. از این رو از فناوری cmos به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع با...
طراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستمهای مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیشتقویتکننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. د...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده برق و کامپیوتر
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023